MODELISATION NUMERIQUE PAR LA METHODE DES ELEMENTS FINIS D’UN PHOTOCONDUCTEUR A CAVITE SUBMICRONIQUE

  • RECHEM DJAMIL Département d'Electronique, faculté des sciences de l'ingénieur- université Mentouri Constantine,
  • AAIT KAKI Département d'Electronique, faculté des sciences de l'ingénieur- université Mentouri Constantine,
  • MS BEN LATRECHE Département d'Electronique, faculté des sciences de l'ingénieur- université Mentouri Constantine,
  • M. BOUCHEMAT Département d'Electronique, faculté des sciences de l'ingénieur- université Mentouri Constantine,
  • S. LAVAL Université paris sud, 91405 ORSAY cedex,

Résumé

Ce travail présente l’étude du fonctionnement dynamique des dispositifs pour la commutation optique dans le
domaine des impulsions de quelque nanosecondes. Ces dispositifs sont constitués d’un guide d’onde non linéaire
en silicium sur saphir, avec coupleur à réseau de diffraction.
Le principe de fonctionnement de ce dispositif repose sur une création importante des porteurs par absorption de
l’onde guidée, il doit recevoir donc le maximum de lumière, pour cela le couplage par réseau doit être efficace.
Pour cela nous avons modélisé le comportement de ce dispositif en régime dynamique (en tout optique), par la
méthode des éléments finis, en tenant compte de la variation de l’indice de réfraction avec la densité des porteurs
en excès, et de l’effet de l’élévation de la température résultant de recombinaisons des porteurs.
Nous avons ainsi expliqué l’existence de deux commutations (l’une d’origine électronique et l’autre d’origine
thermique) sur les intensités absorbées ou transmises.

 

 

 

 

This work presents the study of the dynamic working of devices for the optic commutation in the domain of
impulses of some nanoseconds. These devices are constituted of a wave guide no linear in silicon on sapphire,
with coupler to system of diffraction.
The principle of workings of this device reclines on a creation important of carriers by absorption of the wave
guided, it must receive the maximum of light therefore, for it the coupling by system must be efficient.
We are presented the model of this device in dynamic regime (in all optic), by the finite element method, while
holding amount of the variation of the refraction indication with the density of carriers in excess, and the effect
of the elevation of the temperature results recombination of carriers.
We have explains the existence of two commutations thus (one of electronic origin and the thermal origin other)
on the absorbed intensities either transmitted.

Références

[1] F. PARDO, «Etude et réalisation d’un
dispositif bistable optique basé sur l’excitation
d’un mode guidé couplé par réseau dans une
couche mince de silicium sur saphir», Thèse,
université de Paris–Sud, (1986)
[2] C. KITTEL, «Introduction à la physique de
l’état solide», DUNOD (1972).
[3] D. A. S. MILLER, S. D. SMITH «Optical
bistability in semiconducteurs», IEEE journal
of quantum electronics, n°3 mars 1981.
[4] H. SAUER «Etude théorique du
fonctionnement dynamique des dispositifs à
guide d’onde non linéaire pour la commutation
optique», Thèse, université de Paris XI Orsay
(1990).
[5] Jean - François Sacadura «Initiation aux
transferts thermiques».
[6] J. P. HOHMAN, «Heat Trasfer», 5ed, mc
graw-hill international, 1984
[7] M. SIBONY ET G. CL. MARDON, «Analyse
numérique II : Approximation et équation
différentielles» Edition herkamm (1982)
[8] Jean-Pierre Nougier, «Méthodes de calcul
numérique», Édition Masson, (1991).
[9] «partial differential equation, TOOLBOX for
use with Matlab».
Comment citer
DJAMIL, RECHEM et al. MODELISATION NUMERIQUE PAR LA METHODE DES ELEMENTS FINIS D’UN PHOTOCONDUCTEUR A CAVITE SUBMICRONIQUE. Courrier du Savoir, [S.l.], v. 2, avr. 2014. ISSN 1112-3338. Disponible à l'adresse : >http://revues.univ-biskra.dz/index.php/cds/article/view/197>. Date de consultation : 11 jui. 2020
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